私自身、何度も経験しました。。。（汗

初段の動作条件は、

プレート電圧１０１Ｖ、プレート電流３ｍＡ、バイアス−３Ｖ、
カソード抵抗１ＫΩ、負荷抵抗３３ＫΩ、デカップリング抵抗８．２ＫΩ

ですので、とりあえず、グラフが読みやすいように、
初段を±２Ｖスイングさせると、基準のバイアス−３Ｖを中心にして、
ロードライン上の、バイアス−１から−５Ｖまでスイングします。


その時の、電圧の変化量は、

ゼロバイアス側　→　１０１Ｖ−４７Ｖ＝５４Ｖ
カットオフ側　　　→　１５２Ｖ−１０１Ｖ＝５１Ｖ

特性曲線の右下のバイアスの間隔が詰まっているので、カットオフ側【５１Ｖ側】は、どん詰まりになって、このように歪む訳です。（←二次歪みの発生）

シングル二段増幅は、初段と出力段の位相が逆になるので、
このどん詰まりの【５１Ｖ側】は、出力段のゼロバイアス側をスイングする事になります。（←コレ重要）


出力段のバイアスは、−２６Ｖですので、
２６Ｖを５１Ｖで、割ると、２６÷５１Ｖ＝０．５１

まあなんと言いますか、アタマの中で仮に、ＮＦＢが掛かって初段のゲインが、０．５１倍になった。とでも考えて下さい。
初段のゲインは変化しないのですけど、便宜上そう考えて下さい。。。（汗


それで、初段のゼロバイアス側【５４Ｖ側】は、
５４Ｖ×０．５１＝２７．５Ｖ

となり、

ＮＦＢがかかって、初段のゲインが、