私自身、何度も経験しました。。。（汗

初段の動作条件は、

プレート電圧９６Ｖ、プレート電流２ｍＡ、バイアス−２Ｖ、
カソード抵抗１ＫΩ、負荷抵抗２７ＫΩ、デカップリング抵抗３９ＫΩ

でした。

また、６ＣＨ６の自己バイアス時グリッド抵抗最大値は２２０ＫΩですので、出力段グリッド・リーク抵抗を２２０ＫΩとした場合の初段負荷２７ＫΩとの合成交流負荷は２４ＫΩとなります。



さて、とりあえずグラフが読みやすいように初段を±１Ｖスイングさせると、基準バイアス−２Ｖを中心にして、交流負荷２４ＫΩのロードライン上の、バイアス−１から−３Ｖまでスイングします。


その時の、電圧の変化量は、

ゼロバイアス側　→　９６Ｖ−７０Ｖ＝２６Ｖ
カットオフ側　　　→　１１７Ｖ−９６Ｖ＝２１Ｖ

特性曲線の右下のバイアスの間隔が詰まっているので、カットオフ側【２１Ｖ側】は、どん詰まりになって、このように歪む訳です。（←二次歪みの発生）

シングル二段増幅は、初段と出力段の位相が逆になるので、
このどん詰まりの【２１Ｖ側】は、出力段のゼロバイアス側をスイングする事になります。（←コレ重要）


出力段のバイアスは、−６Ｖですので、
６Ｖを２１Ｖで、割ると、６÷２１Ｖ＝０．２８６

まあなんと言いますか、アタマの中で仮に、ＮＦＢが掛かって初段のゲインが、０．２８６倍になった。とでも考えて下さい。